[发明专利]外延碳化硅单晶基板的制造方法有效
| 申请号： | 201180055581.3 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103228827A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 蓝乡崇;柘植弘志;胜野正和;藤本辰雄;矢代弘克 | 申请（专利权）人： | 新日铁住金株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C23C16/42;C30B25/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘凤岭;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种在偏离角度较小的碳化硅单晶基板上具有表面缺陷等较少的、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板的制造方法。根据本发明，在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上具有表面缺陷等较少的、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板的制造方法中，在进行上述外延生长之前，使含有硅和氯的气体与氢气一同流动，使硅原子相对于氢气中的氢原子的浓度达到0.0001%～0.01%，在1550℃～1650℃的温度下进行0.1μm～1μm的预处理刻蚀，然后形成外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 碳化硅 单晶基板 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种外延碳化硅单晶基板的制造方法，其通过在碳化硅单晶基板上外延生长碳化硅而制造外延碳化硅单晶基板，所述制造方法的特征在于：在进行外延生长之前，使含有硅和氯的气体与氢气一同流动而进行预处理刻蚀，然后形成外延层。
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