[发明专利]单片三端子光电检测器有效
申请号: | 201180055928.4 | 申请日: | 2011-11-15 |
公开(公告)号: | CN103262264A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | Y-C·N·那;Y·康;I·赵 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;H01L31/105;H01L31/107 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种光电检测器,用于在超低电压下实现光生载流子的倍增。实施例包括结合第二p-i-n半导体结的第一p-i-n半导体结,以形成具有至少三个端子的单片光电检测器。两个p-i-n结构可以共享p型区域或n型区域,作为5第一端子。与共享的端子互补掺杂的两个p-i-n结构的区域形成第二和第三端子,使得第一和第二p-i-n结构可并联地操作。第一p-i-n结构的倍增区域用于:在共享的10第一端子与第二和第三端子中的每一个之间的电压降是非累积的情况下,使第二p-i-n结构的吸收区域内光生成的电荷载流子倍增。 | ||
搜索关键词: | 单片 端子 光电 检测器 | ||
【主权项】:
一种单片三端子光电检测器,包括:n型半导体区域,耦合至第一端子;p型半导体区域,在衬底的一区域上方与所述n型区域相间交叉,所述p型半导体区域耦合至第二端子;以及半导体吸收区域,接近于所述n型区域和所述p型区域设置,并且耦合至所述第一端子和所述第二端子中的至少一个以及第三端子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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