[发明专利]单片三端子光电检测器有效

专利信息
申请号: 201180055928.4 申请日: 2011-11-15
公开(公告)号: CN103262264A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: Y-C·N·那;Y·康;I·赵 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L31/10 分类号: H01L31/10;H01L31/105;H01L31/107
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种光电检测器,用于在超低电压下实现光生载流子的倍增。实施例包括结合第二p-i-n半导体结的第一p-i-n半导体结,以形成具有至少三个端子的单片光电检测器。两个p-i-n结构可以共享p型区域或n型区域,作为5第一端子。与共享的端子互补掺杂的两个p-i-n结构的区域形成第二和第三端子,使得第一和第二p-i-n结构可并联地操作。第一p-i-n结构的倍增区域用于:在共享的10第一端子与第二和第三端子中的每一个之间的电压降是非累积的情况下,使第二p-i-n结构的吸收区域内光生成的电荷载流子倍增。
搜索关键词: 单片 端子 光电 检测器
【主权项】:
一种单片三端子光电检测器,包括:n型半导体区域,耦合至第一端子;p型半导体区域,在衬底的一区域上方与所述n型区域相间交叉,所述p型半导体区域耦合至第二端子;以及半导体吸收区域,接近于所述n型区域和所述p型区域设置,并且耦合至所述第一端子和所述第二端子中的至少一个以及第三端子。
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