[发明专利]用于形成III族氮化物材料的方法以及通过该方法形成的结构有效
| 申请号： | 201180056001.2 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103237929B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | C·阿里纳;R·T·小伯特伦;E·林多;S·马哈詹;F·孟 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司;代理并代表亚利桑那州立大学的亚利桑那董事会 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,周玉梅 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方案包括使用卤化物气相外延（HVPE）过程形成III族氮化物半导体结构的方法。所述方法包括在非同质生长基材的表面上形成连续的III族氮化物成核层，所述连续的III族氮化物成核层遮盖所述非同质生长基材的上表面。形成连续的III族氮化物成核层可包括形成III族氮化物层以及热处理所述III族氮化物层。该方法还可包括在所述连续的III族氮化物成核层上形成另外的III族氮化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 iii 氮化物 材料 方法 以及 通过 结构 | ||
【主权项】：
一种在生长基材上形成III族氮化物材料的方法，所述方法包括：在非同质生长基材的表面上形成III族氮化物成核层，其包括：使用卤化物气相外延(HVPE)过程在所述非同质生长基材的上表面上直接沉积包括多个纤锌矿晶体结构的III族氮化物层；以及热处理所述III族氮化物层；以及在所述成核层上形成另外的III族氮化物层，其中热处理III族氮化物层为将III族氮化物层暴露于小于900℃的温度，以降低所述III族氮化物成核层内的氯物种的浓度，其中III族氮化物意指由来自周期表的IIIA族的一个或多个元素和氮所组成的任何材料，其中热处理III族氮化物层包括将III族氮化物层引入至少一种用于氯物种的吸气剂，以降低所述III族氮化物成核层内的氯物种的浓度。
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