[发明专利]光电子半导体器件有效
申请号: | 201180056021.X | 申请日: | 2011-09-21 |
公开(公告)号: | CN103210510A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | M.施奈德;J.拉姆亨;M.维特曼 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/52 | 分类号: | H01L33/52;H01L25/075;H01L25/16;H01L33/62;H01L33/56;H01L33/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;卢江 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 说明了一种光电子半导体器件(100),包括-载体(1),所述载体具有上侧(11)和与上侧(11)相对的下侧(12);-至少一个布置在上侧(11)处的具有辐射出射面(6)的发射辐射的半导体部件(2),在半导体部件(3)运行中所产生的电磁辐射的至少一部分通过所述辐射出射面离开该半导体部件(2),和-吸收辐射的层(3),所述吸收辐射的层被设立用于吸收射到器件(100)上的环境光,使得器件(100)的背离载体(1)的外面(101)至少局部地显现为黑色,其中-吸收辐射的层(3)在横向方向(L)上完全包围发射辐射的半导体部件(2)并且至少局部地与发射辐射的半导体部件(2)的侧面(23)直接接触,和-辐射出射面(6)无吸收辐射的层(3)。 | ||
搜索关键词: | 光电子 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种光电子半导体器件(100),包括:‑载体(1),所述载体具有上侧(11)和与上侧(11)相对的下侧(12);‑至少一个布置在上侧(11)处的具有辐射出射面(6)的发射辐射的半导体部件(2),在该半导体部件(2)运行中所产生的电磁辐射的至少一部分通过所述辐射出射面离开该半导体部件(2),和‑吸收辐射的层(3),所述吸收辐射的层被设立用于吸收射到器件(100)上的环境光,使得该器件(100)的背离载体(1)的外面(101)至少局部地显现为黑色,其中‑吸收辐射的层(3)在横向方向(L)上完全包围发射辐射的半导体部件(2)并且至少局部地与发射辐射的半导体部件(2)的侧面(23)直接接触,和‑辐射出射面(6)无吸收辐射的层(3)。
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