[发明专利]光电子半导体器件有效

专利信息
申请号: 201180056021.X 申请日: 2011-09-21
公开(公告)号: CN103210510A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: M.施奈德;J.拉姆亨;M.维特曼 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/52 分类号: H01L33/52;H01L25/075;H01L25/16;H01L33/62;H01L33/56;H01L33/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张涛;卢江
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 说明了一种光电子半导体器件(100),包括-载体(1),所述载体具有上侧(11)和与上侧(11)相对的下侧(12);-至少一个布置在上侧(11)处的具有辐射出射面(6)的发射辐射的半导体部件(2),在半导体部件(3)运行中所产生的电磁辐射的至少一部分通过所述辐射出射面离开该半导体部件(2),和-吸收辐射的层(3),所述吸收辐射的层被设立用于吸收射到器件(100)上的环境光,使得器件(100)的背离载体(1)的外面(101)至少局部地显现为黑色,其中-吸收辐射的层(3)在横向方向(L)上完全包围发射辐射的半导体部件(2)并且至少局部地与发射辐射的半导体部件(2)的侧面(23)直接接触,和-辐射出射面(6)无吸收辐射的层(3)。
搜索关键词: 光电子 半导体器件
【主权项】:
一种光电子半导体器件(100),包括:‑载体(1),所述载体具有上侧(11)和与上侧(11)相对的下侧(12);‑至少一个布置在上侧(11)处的具有辐射出射面(6)的发射辐射的半导体部件(2),在该半导体部件(2)运行中所产生的电磁辐射的至少一部分通过所述辐射出射面离开该半导体部件(2),和‑吸收辐射的层(3),所述吸收辐射的层被设立用于吸收射到器件(100)上的环境光,使得该器件(100)的背离载体(1)的外面(101)至少局部地显现为黑色,其中‑吸收辐射的层(3)在横向方向(L)上完全包围发射辐射的半导体部件(2)并且至少局部地与发射辐射的半导体部件(2)的侧面(23)直接接触,和‑辐射出射面(6)无吸收辐射的层(3)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180056021.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top