[发明专利]具有金属硫氧化物窗口层的光伏装置有效
| 申请号： | 201180056075.6 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103348488A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 邵锐;马库思·格鲁克勒尔;本雅明·布勒 | 申请（专利权）人： | 第一太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/032;H01L31/072;H01L31/073;H01L31/074;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳;刘奕晴 |
| 地址： | 美国俄亥俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了光伏装置和基底结构的装置和方法。在一个实施例中，光伏装置包括基底和形成在基底上方的MS1-XOX窗口层，其中，M是由Zn、Sn和In组成的组中的元素。另一实施例意在一种制造光伏装置的工艺，所述制造光伏装置的工艺包括通过溅射、蒸发沉积、CVD、化学浴沉积工艺和气相传输沉积工艺中的至少一种在基底上方形成MS1-XOX窗口层，其中，M是由Zn、Sn和In组成的组中的元素。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 氧化物 窗口 装置 | ||
【主权项】：
一种光伏装置，所述光伏装置包括：基底；MS1‑XOX窗口层，形成在基底上方，其中，M是Zn；以及吸收层，形成在基底上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
