[发明专利]金属电熔断器的结构有效
| 申请号： | 201180056078.X | 申请日： | 2011-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN103222052A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 王平川;C·E·田;R·菲利皮;李伟健 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供电子熔断器(电熔断器)的结构。一种未编程的电熔断器(100)包括：第一传导材料的过孔(120)，具有底部和侧壁，其中侧壁的一部分由传导衬垫(121)覆盖并且过孔的底部形成于电介质层(410)上面；以及第二传导材料的第一和第二传导路径(111，112)，形成于电介质层(410)上面而在侧壁经过并且仅经过过孔(120)传导地连接第一和第二传导路径。一种编程的电熔断器包括：过孔(120)；第一传导路径(111)，在过孔的第一侧并且被空部(122)从过孔的侧壁分离；以及第二传导路径(112)，在过孔(120)的第二不同侧并且经过过孔的侧壁与过孔传导接触。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 熔断器 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一传导材料的过孔(120)，具有底部和侧壁，所述侧壁的至少一部分由传导衬垫(121，461)覆盖，所述过孔的所述底部直接形成于电介质层(410)上面；以及第二传导材料的第一(111)传导路径和第二(112)传导路径，形成于所述电介质层(410)上面，在所述侧壁处经过并且仅经过所述过孔(120)传导地连接所述第一传导路径和所述第二传导路径。
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