[发明专利]接合材料及接合体以及接合方法有效
| 申请号： | 201180056112.3 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN103250236A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 栗田哲;远藤圭一;齐藤悠;久枝穰;上山俊彦 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B22F1/00;B23K20/00;H05K3/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在以氮气为代表的非活性气氛下可形成接合体、并且即使不进行高温的热处理操作也能够体现可经得住实用的接合强度的接合材料。本发明提供下述接合材料：其包含被碳原子数8以下的脂肪酸包覆的平均一次粒径为1nm以上且200nm以下的银纳米颗粒、平均粒径为0.5μm以上且10μm以下的银颗粒、具有2个以上羧基的有机物质和分散介质。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 材料 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种接合方法，其用于接合多个被接合构件，该接合方法具有：向第一被接合构件的接合面涂布接合材料的工序；将涂布有接合材料的第一被接合构件加热至规定的温度的预焙烧工序；在加热过的第一被接合构件上所涂布的接合材料的层上设置第二被接合构件的工序；及将设置有第二被接合构件的第一被接合构件加热至比所述预焙烧工序的温度高的温度，从而在第一被接合构件与第二被接合构件之间形成接合层的主焙烧工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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