[发明专利]在低驱动电压下具有高探测灵敏度的IR光探测器在审
| 申请号： | 201180056135.4 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN103238221A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 弗兰基·索;金道永;伽利略·萨拉斯克塔;布哈本德拉·K·普拉丹 | 申请（专利权）人： | 佛罗里达大学研究基金会有限公司;纳米控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;G01J1/02 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 美国佛罗里*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有高探测灵敏度的IR光探测器，包括IR传感层，位于电子阻挡层（EBL）和空穴阻挡层（HBL）之间。EBL和HBL显著地减少了暗电流，产生在允许对IR光探测器使用低施加电压时的高探测灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动 压下 具有 探测 灵敏度 ir 探测器 | ||
【主权项】：
一种IR光探测器，包括IR传感层，用于隔离电子阻挡层（EBL）和空穴阻挡层（HBL），其中，所述IR光探测器具有高探测灵敏度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
