[发明专利]包含n型掺杂剂源的光伏装置有效
| 申请号： | 201180056336.4 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103283031A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 马库思·格鲁克勒尔 | 申请（专利权）人： | 第一太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/073 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰;郭鸿禧 |
| 地址： | 美国俄亥俄*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 这里描述了一种使用透明导电基板的缓冲层作为用于光伏装置的n型窗口层的掺杂剂源的方法。在半导体处理过程中，缓冲层的掺杂剂源分布到光伏装置的窗口层。这里还描述了基板结构和光伏装置的实施例的制造方法。公开的实施例还描述了一种具有多个光伏装置的光伏模块和光伏结构，该光伏装置具有实施例的基板结构。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 掺杂 装置 | ||
【主权项】：
一种光伏装置，所示光伏装置包括：透光的支撑层；缓冲层，包含n型掺杂剂；透明导电氧化物，设置在支撑层和缓冲层之间；吸收层；以及窗口层，设置在吸收层和缓冲层之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于第一太阳能有限公司，未经第一太阳能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180056336.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于管理电池组的装置和方法
- 下一篇：三维堆叠中的优化半导体封装
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
