[发明专利]双极非穿通功率半导体装置

摘要

提供双极非穿通功率半导体装置。它包括半导体晶片（2）和在第一主侧上的第一电接触和在第二主侧上的第二电接触。该晶片（2）包括具有晶片厚度（23）的内区（22），和终止区（24），其环绕该内区（22）并且其中晶片厚度（23）至少在第一主侧上通过负斜角而减小。该半导体晶片（2）包括具有不同的电导率类型的层的至少两层结构：-第一电导率类型的漂移层（26），第二电导率类型的第一层，其在第一主侧上直接连接到该漂移层（26）并且接触第一电接触，该第一层延伸到第一层深度，和-第二电导率类型的第二层，其布置在第一主侧上终止区（24）中直到第二层深度。该第二层深度大于该第一层深度，该第一层深度是至多45µm。该第二层的掺杂浓度低于该第一层的掺杂浓度。

主权项

一种双极非穿通功率半导体装置，包括半导体晶片（2）和在所述晶片的第一主侧上形成的第一电接触和在与所述第一主侧相对的所述晶片的第二主侧上形成的第二电接触，所述半导体晶片（2）包括具有不同的电导率类型的层的至少两层结构，所述至少两层结构包括‑第一电导率类型的漂移层（26），‑第二电导率类型的第一层，其朝所述第一主侧直接连接到所述漂移层（26）并且接触所述第一电接触，并且所述晶片（2）包括具有在所述第一和第二主侧之间测量的恒定晶片厚度（23）的内区（22），和终止区（24），其环绕所述内区（22）并且其中所述晶片厚度（23）至少在所述第一主侧上通过负斜角而减小，其中所述第一层延伸到第一层深度，所述第一层深度从平面测量，其中所述第一主侧布置在所述内区（22）内，并且其中所述漂移层延伸到漂移层深度，所述漂移层深度在所述内区（22）内从所述平面测量，其中所述第一主侧布置在所述内区（22）内，其特征在于第二电导率类型的第二层布置在所述第一主侧上所述终止区（24）中，所述第二层布置直到第二层深度，所述第二层深度从平面测量，其中所述第一主侧布置在所述内区（22）内，并且其中所述第二层深度大于所述第一层深度并且浅于所述漂移层深度，其中所述第二层的最大掺杂浓度低于所述第一层的最大掺杂浓度，并且其中所述第一层深度是至多45µm，特别地至多30µm。