[发明专利]原位低介电常数加盖以改良整合损坏抗性无效
| 申请号： | 201180057643.4 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103238206A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | K·S·伊姆;J·徐;S·恩戈;A·T·迪莫斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于形成包括气隙的低k介电层的方法及装置。在一个实施例中，提供一种处理基板的方法。该方法包含：将基板安置在处理区域内；在存在等离子体的情况下，将有机硅化合物与氧化气体以及提供致孔剂的前驱物反应，以将包含硅、氧及碳的含致孔剂的低k介电层沉积在基板上；将包含硅、氧及碳的多孔介电加盖层沉积在含致孔剂的低k介电层上；以及紫外线(UV)固化含致孔剂的低k介电层及多孔介电加盖层，以经由多孔介电加盖层从含致孔剂的低k介电层中移除致孔剂的至少一部分，以将含致孔剂的低k介电层转化为具有气隙的多孔低k介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 介电常数 加盖 改良 整合 损坏 抗性 | ||
【主权项】：
一种处理基板的方法，所述方法包含以下步骤：将基板安置在处理区域内；在存在等离子体的情况下，将有机硅化合物与氧化气体以及提供致孔剂的前驱物反应，以将包含硅、氧及碳的含致孔剂的低k介电层沉积在所述基板上；将包含硅、氧及碳的多孔介电加盖层沉积在所述含致孔剂的低k介电层上；以及紫外线(UV)固化所述含致孔剂的低k介电层以及所述多孔介电加盖层，以经由所述多孔介电加盖层从所述含致孔剂的低k介电层中移除所述致孔剂的至少一部分，以将所述含致孔剂的低k介电层转化为具有气隙的多孔低k介电层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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