[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件

摘要

本发明的课题是提供一种栅极后制工序且由一个虚拟图案形成二个晶体管的SGT的制造方法及由该方法所制造而成的SGT构造，本发明藉由具有以下的步骤而解决上述课题：于衬底上形成第1和第2鳍状硅层，于前述第1和第2鳍状硅层的周围形成第1绝缘膜，于前述第1和第2鳍状硅层的上部形成第1和第2柱状硅层的步骤；于前述第1和第2柱状硅层上部、前述第1和第2鳍状硅层上部、及前述第1和第2柱状硅层下部植入杂质形成扩散层的步骤；作成栅极绝缘膜及第1和第2多晶硅栅极电极的步骤；于前述第1和前述第2鳍状硅层上部的前述扩散层上部形成硅化物的步骤；沉积层间绝缘膜，露出前述第1和前述第2多晶硅栅极电极，蚀刻前述第1和前述第2多晶硅栅极电极后，沉积金属，形成第1和第2金属栅极电极的步骤。

主权项

一种半导体器件的製造方法，其特征在于，具有下述步驟： 第1步骤，于衬底上形成第1鳍状硅层与第2鳍状硅层，前述第1鳍状硅层和第2鳍状硅层是于各者的端部连接而形成封闭回路，于前述第1鳍状硅层与第2鳍状硅层的周围形成第1绝缘膜，于前述第1鳍状硅层的上部形成第1柱状硅层，于前述第2鳍状硅层的上部形成第2柱状硅层，前述第1柱状硅层的直径是与前述第1鳍状硅层的宽度相同，前述第2柱状硅层的直径是与前述第2鳍状硅层的宽度相同； 第2步骤，前述第1步骤后，于前述第1柱状硅层上部、前述第1鳍状硅层上部及前述第1柱状硅层下部植入杂质形成扩散层，于前述第2柱状硅层上部、前述第2鳍状硅层上部及前述第2柱状硅层下部植入杂质形成扩散层； 第3步骤，前述第2步骤后，作成栅极绝缘膜、第1多晶硅栅极电极、第2多晶硅栅极电极及多晶硅栅极配线，前述栅极绝缘膜覆盖前述第1柱状硅层与前述第2柱状硅层的周围和上部，前述第1多晶硅栅极电极与前述第2多晶硅栅极电极覆盖前述栅极绝缘膜，前述第1多晶硅栅极电极和前述第2多晶硅栅极电极以及前述多晶硅栅极配线形成后的多晶硅的上表面为较前述第1柱状硅层上部的前述扩散层上的前述栅极绝缘膜与前述第2柱状硅层上部的前述扩散层上的前述栅极绝缘膜更高的位置； 第4步骤，前述第3步骤后，于前述第1鳍状硅层上部的前述扩散层上部与前述第2鳍状硅层上部的前述扩散层上部形成硅化物； 第5步骤，前述第4步骤后，沉积层间绝缘膜，露出前述第1多晶硅栅极电极和前述第2多晶硅栅极电极以及前述多晶硅栅极配线，蚀刻前述第1多晶硅栅极电极和前述第2多晶硅栅极电极以及前述多晶硅栅极配线后，沉积金属，形成第1金属栅极电极、第2金属栅极电极及金属栅极配线，前述金属栅极配线延伸于与连接于前述第1金属栅极电极和第2金属栅极电极的前述第1鳍状硅层和第2鳍状硅层正交的方向；以及 第6步骤，前述第5步骤后，形成接触部，前述第1柱状硅层上部的前述扩散层与前述接触部为直接连接，前述第2柱状硅层上部的前述扩散层与前述接触部为直接连接。