[发明专利]硅和硅锗纳米线结构有效
| 申请号： | 201180058034.0 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103238208B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | K·J·库恩;S·金;R·里奥斯;S·M·赛亚;M·D·贾尔斯;A·卡佩尔拉尼;T·拉克什特;P·常;W·瑞驰梅迪 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 毛力 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例包括形成纳米线器件，该纳米线器件包括：衬底，衬底包括位于间隔物附近的源极/漏极结构；以及位于间隔物之间的纳米线沟道结构，其中纳米线沟道结构在彼此之上垂直地层叠。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 | ||
【主权项】：
一种形成器件的方法，包括：在衬底上形成外延硅锗；在所述外延硅锗上形成外延硅；对布置在所述外延硅锗上的外延硅布图以形成鳍结构，所述布图包括蚀刻所述外延硅和所述外延硅锗；在所述鳍结构上形成牺牲栅电极；在所述牺牲栅电极的侧壁附近和在所述鳍结构上形成间隔物；从所述衬底上的源极/漏极区去除所述鳍结构的一部分，然后在所述源极/漏极区上形成源极/漏极结构，其中所述源极/漏极区位于所述间隔物附近；从所述间隔物之间去除所述牺牲栅电极；以及从位于所述间隔物之间的鳍结构去除所述外延硅和外延硅锗中的一者。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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