[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置

摘要

本发明提供兼具高速响应性和高输出性的发出红外光的发光二极管、发光二极管灯和照明装置。本发明涉及的发光二极管、发光二极管灯和照明装置，其特征在于，具备：发光部，该发光部具有交替地层叠有由组成式为（In_X1Ga_1‑X1）As（0≤X1≤1）的化合物半导体构成的阱层和由组成式为（Al_X2Ga_1‑X2）As（0≤X2≤1）的化合物半导体构成的势垒层的量子阱结构的活性层、以及夹持所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层；在发光部上形成的电流扩散层；和与电流扩散层接合的功能性基板，第1和第2覆盖层由组成式为（Al_X3Ga_1‑X3）_Y1In_1‑Y1P（0≤X3≤1，0＜Y1≤1）的化合物半导体构成，在以一个阱层和一个势垒层为一对的对层的情况下，对层数为5以下。

主权项

一种发光二极管，其特征在于，具备：发光部，该发光部具有交替地层叠有由组成式为(In_X1Ga_1‑X1)As的化合物半导体构成的阱层和由组成式为(Al_X2Ga_1‑X2)As的化合物半导体构成的势垒层的量子阱结构的活性层、夹持所述活性层的第1引导层和第2引导层、以及隔着所述第1引导层和第2引导层夹持所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，其中，0≤X1≤1、0≤X2≤1；在所述发光部上形成的电流扩散层；和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述第1引导层和第2引导层由组成式为(Al_X6Ga_1‑X6)As的化合物半导体构成，其中，0＜X6≤1，所述第1和第2覆盖层由组成式为(Al_X3Ga_1‑X3)_Y1In_1‑Y1P的化合物半导体构成，其中，0≤X3≤1、0＜Y1≤1，所述阱层和势垒层的对层数为5以下。