[发明专利]空穴注入层

摘要

本发明提供了一种器件的制备方法，该器件包含介于阳极和半导体空穴传输层之间的过渡金属氧化物掺杂的界面，所述方法包括步骤：将包含金属氧化物层前体的溶液沉积在所述阳极上，将沉积的溶液干燥并任选地退火以形成固体层前体，将所述半导体空穴传输层材料的溶液沉积到该固体层上，和任选地热退火所得产品，以提供在所述阳极和所述半导体空穴传输层之间的界面处具有过渡金属氧化物的期望器件；以及可通过本发明的方法得到的器件。

主权项

器件的制备方法，该器件包含介于阳极和半导体空穴传输层之间的过渡金属氧化物掺杂的界面，所述方法包含以下步骤：（a）将包含金属氧化物层的前体的溶液沉积在所述阳极上；（b）将沉积的溶液干燥并任选地退火以形成固体层前体；（c）将所述半导体空穴传输层材料的溶液沉积到该固体层上；和（d）任选地热退火步骤（c）的产物，以产生在所述阳极和所述半导体空穴传输层之间的界面处具有过渡金属氧化物的期望器件。