[发明专利]一种使用硅掺杂操作的新型嵌入式3D应力和温度传感器无效
| 申请号： | 201180058967.X | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN103261863A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 霍萨姆·穆罕默德·哈姆迪·格哈比;瓦伊德·艾哈迈德·穆罕默德·穆萨 | 申请（专利权）人： | 艾伯塔大学校董事会 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01B7/16;G01L1/26 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 吴梓菲;王漪 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 本文提供了一种用于构建能够提取六个应力分量和温度的应力传感接线匣的新途径，并且对其可行性进行了分析和实验验证。该途径可以包括改变传感元件的掺杂浓度并且利用n-Si中的剪切压阻系数（π44）的独特行为。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 掺杂 操作 新型 嵌入式 应力 温度传感器 | ||
【主权项】：
一种应力传感器，包括：a)一个半导体衬底；b)放置在该衬底上的多个压阻式电阻器，这些电阻器在该衬底上以莲座丛构造间隔开，这些电阻器可操作地连接在一起以形成一个电路网络，其中可以测量每个电阻器的电阻；以及c)该多个压阻式电阻器包括第一组电阻器、第二组电阻器和第三组电阻器，其中这三组被配置成当该传感器在应力或应变下时在该衬底中测量六个温度补偿的应力分量。
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