[发明专利]磁传感器以及磁传感器的制造方法无效
| 申请号： | 201180059287.X | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103262276A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 小池文人;朝妻浩太;斋藤正路;高桥彰;井出洋介 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G01R15/20;G01R33/09 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王亚爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供能降低磁阻效应元件的自由磁性层的磁化方向的分散、且跨宽范围测量精度高的磁传感器以及磁传感器的制造方法。本发明的磁传感器(1)是具备在特定的方向有灵敏度轴的磁阻效应元件(11)的磁传感器，磁阻效应元件(11)的特征在于，具有层叠构造，该层叠构造包含固定了磁化方向的铁磁性固定层(30)、非磁性中间层(26)、磁化方向相对于外部磁场变动的自由磁性层(27)、以及对自由磁性层(27)施加交换耦合磁场的反铁磁性层(28)。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁传感器，具备在特定的方向上有灵敏度轴的磁阻效应元件，其特征在于，所述磁阻效应元件具有层叠构造，该层叠构造包含固定了磁化方向的铁磁性固定层、非磁性中间层、磁化方向相对于外部磁场变动的自由磁性层、以及对所述自由磁性层施加交换耦合磁场的反铁磁性层。
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