[发明专利]半导体装置和显示装置有效
| 申请号： | 201180059369.4 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103262250A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 守口正生;神崎庸辅;高西雄大;楠见崇嗣;松木园广志 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/312;H01L21/336;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置包括：形成在基板(60)上的薄膜晶体管(10)的栅极电极(62)和供氧层(64)；形成在栅极电极(62)和供氧层(64)之上的栅极绝缘层(66)；形成在栅极绝缘层(66)之上的薄膜晶体管(10)的氧化物半导体层(68)；和配置在栅极绝缘层(66)和氧化物半导体层(68)之上的薄膜晶体管(10)的源极电极(70S)和漏极电极(70d)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于：其为具有薄膜晶体管的半导体装置，所述半导体装置包括：形成在基板上的所述薄膜晶体管的栅极电极和供氧层；形成在所述栅极电极和所述供氧层之上的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层之上的所述薄膜晶体管的氧化物半导体层；和配置在所述栅极绝缘层和所述氧化物半导体层之上的、所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极。
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