[发明专利]单晶锭直径的控制系统及包括该系统的单晶锭生长装置无效
| 申请号： | 201180059723.3 | 申请日： | 2011-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN103261492A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 洪宁皓;河世根;郑要韩 | 申请（专利权）人： | LG矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06;H01L21/02;C01B33/021 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 武晨燕;张颖玲 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种单晶锭直径的控制系统和一种包括该系统的单晶锭生长装置。所述单晶锭直径的控制系统包括：直径测量传感器，用于测量单晶锭的直径；低通滤波器(LPF)，用于消除来自所述直径测量传感器的测量数据中的短周期噪声；以及自动直径控制(ADC)传感器，用于通过将消除噪声后的数据用作当前数据来控制提拉速度，进而控制单晶锭的直径。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶锭 直径 控制系统 包括 系统 生长 装置 | ||
【主权项】：
一种单晶锭直径的控制系统，所述系统包括：直径测量传感器，用于测量单晶锭的直径；低通滤波器(LPF)，用于消除来自所述直径测量传感器的测量数据中的短周期噪声；以及自动直径控制(ADC)传感器，用于通过将消除噪声后的数据用作当前数据来控制提拉速度，进而控制所述单晶锭的直径。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG矽得荣株式会社，未经LG矽得荣株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180059723.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
