[发明专利]电镀式无铅凸点沉积无效
| 申请号： | 201180059957.8 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN103430287A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·L·古德曼;阿瑟·凯格勒;约翰内斯·基乌;刘震球 | 申请（专利权）人： | TEL内克斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种使用沉积在工件上形成金属特征的方法。该方法包括：在工件上提供用于电子器件的钎料的凸点下金属层，将基本上纯的锡层直接沉积到凸点下金属层，并且将锡银合金层沉积到在基本上纯的锡层上。 | ||
| 搜索关键词： | 电镀 式无铅凸点 沉积 | ||
【主权项】：
一种使用沉积在工件上形成金属特征的方法，所述方法包括：在所述工件上提供用于电子器件的钎料的凸点下金属层；将基本上纯的锡层直接沉积到所述凸点下金属层；以及将锡银合金层沉积到所述基本上纯的锡层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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