[发明专利]半导体共混物无效
| 申请号： | 201180060024.0 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN103262277A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | C·纽萨姆;R·威尔逊 | 申请（专利权）人： | 剑桥显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王海宁 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种包含溶解或分散在溶剂中的聚合物材料与小分子半导体材料的共混物的墨,所述共混物包含至少70重量%的所述聚合物材料，并且其中所述墨的浓度为至少0.4%w/v。所述聚合物材料优选为TFB[9,9'-二辛基芴-共-N-(4-丁基苯基)-二苯胺]n，并且所述小分子半导体材料优选具有下式(I)的结构，其中X11为式CnH2n+1的基团，其中n为(4)-(16)的整数。 |
||
| 搜索关键词： | 半导体 共混物 | ||
【主权项】：
用于喷墨印刷或旋涂的墨，所述墨包含溶解或分散在溶剂中的聚合物材料与小分子半导体材料的共混物,所述共混物包含至少70重量%的所述聚合物材料，并且其中所述墨浓度为至少0.4%w/v。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于剑桥显示技术有限公司，未经剑桥显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180060024.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
