[发明专利]闭环硅蚀刻控制方法和系统无效
申请号: | 201180060288.6 | 申请日: | 2011-12-14 |
公开(公告)号: | CN103299404A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 达瑞·S·芬恩;安德鲁·E·虎柏;A·葛雷·雷诺 | 申请(专利权)人: | 伊雷克托科学工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 黄灿;吕品 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种闭环蚀刻控制系统控制硅工件对自发性蚀刻剂的暴露。所述系统根据对应于所述硅工件的计量信息来确定要从所述硅工件除去的材料量。计算要除去的材料的质量,且所述硅工件暴露于所述自发性蚀刻剂以除去所述材料。所述系统监测由所述硅工件暴露于所述自发性蚀刻剂而引起的所述硅工件的质量的变化,以确定所述材料量何时已从所述硅工件除去。当所述硅工件的所述质量变化指示所述材料量已经除去时,停止所述硅工件暴露于所述自发性蚀刻剂。 | ||
搜索关键词: | 闭环 蚀刻 控制 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种实施使硅工件暴露于自发性蚀刻剂的闭环控制的方法,其包括:确定要从所述硅工件除去的材料量,所述材料量是根据对应于所述硅工件的计量信息来确定;计算要从所述硅工件除去的所述材料量的质量;使所述硅工件暴露于所述自发性蚀刻剂,以从所述硅工件除去所述材料;监测由所述硅工件暴露于所述自发性蚀刻剂而引起的所述硅工件的质量变化,以确定所述材料量何时已从所述硅工件除去;以及当所述硅工件的所述质量变化指示所述材料量已从所述硅工件除去时,停止所述硅工件暴露于所述自发性蚀刻剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊雷克托科学工业股份有限公司,未经伊雷克托科学工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180060288.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于真空辅助底部填充的方法
- 下一篇:超薄型翘板设计
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造