[发明专利]具有减小的偏振相关损耗的硅基光电集成电路有效
| 申请号： | 201180060347.X | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103403590B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 卡尔潘都·夏斯特里;雷蒙德·纳林格 | 申请（专利权）人： | 思科技术公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 李晓冬 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过策略性地将光电检测器件放置得尽可能靠近光信号进到光电电路布置中的进入点，硅基光电电路被形成为表现出减小的偏振相关损耗。虽然传入光信号将包括TE和TM模式两者，通过使信号在到达光电检测器之前必须沿其传播的光波导路径的长度最小化，与TM模式信号相关联的衰减将可忽略。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减小 偏振 相关 损耗 光电 集成电路 | ||
【主权项】：
一种硅基光电电路，形成在硅衬底上，该电路包括：预定长度的光波导，所述光波导在所述硅衬底中形成并被配置为在所述光波导的输入处接收光信号，所述光信号表现出横电波(TE)和横磁波(TM)成分两者，并且所述光信号的传播方向与所述光波导的输入和所述光波导的输出对齐；以及毗邻所述光波导部署的光电检测器件，用于捕捉离开所述光波导的输出的所述光信号并将所捕捉的所述光信号转换成电等同物，其中所述光波导的所述预定长度被选择成使得与所述接收光信号的TM成分相关联的偏振相关损耗可忽略。
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