[发明专利]具有后表面隔离的半导体装置有效
| 申请号： | 201180060404.4 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103329256A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·利道;曹建军;罗伯特·比奇;J·斯特赖敦;阿兰娜·纳卡塔;赵广元 | 申请（专利权）人： | 宜普电源转换公司 |
| 主分类号： | H01L21/337 | 分类号： | H01L21/337 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明;杨文娟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于独立地连接半导体装置的一部分中的周围材料与其各自的装置的电接触的电路、结构及技术。为达到这个目的，提供了一或多个导电阱的组合，所述一或多个导电阱在至少一个偏置极性电气隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 表面 隔离 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种晶体管装置，包括：衬底；至少一个内层，所述内层包括化合物半导体材料；装置层，所述装置层包括电流传导区域；至少一个电接触，所述电接触形成在所述装置层上；以及导电阱，所述导电阱通过所述内层与所述电接触电气连接，其中所述导电阱在至少一个偏置极性与周围材料电气隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
