[发明专利]高电荷容量像素架构、辐射图像摄像系统及其方法有效
申请号: | 201180060465.0 | 申请日: | 2011-11-11 |
公开(公告)号: | CN103283024B | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | J.H.常;T.J.特雷威尔;G.N.黑勒 | 申请(专利权)人: | 卡尔斯特里姆保健公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 张懿,王忠忠 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开用于获得包括多个像素的成像阵列或数字射线照相系统的方法和设备的实施方案,其中至少一个像素可以包括扫描线;偏压线;包括第一端子、第二端子和控制电极的切换元件,其中所述控制电极电耦接至所述扫描线;和光电转换元件,其包括电耦接至所述偏压线的第一端子和电耦接至所述切换元件的所述第一端子的第二端子;和信号存储元件,其形成于与所述扫描线、偏压线、所述数据线、所述切换元件和所述光电转换元件相同的层中。所述信号存储元件的一个端子的面积可以大于所述像素的表面面积。 | ||
搜索关键词: | 电荷 容量 像素 架构 光电 转换 装置 辐射 图像 摄像 系统 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种像素(700),其包括:扫描线(150),其在衬底(910)的第一表面上;偏压线(170),其在所述衬底(910)的所述第一表面上;切换元件栅极(920),其在所述衬底(910)的所述第一表面上且电耦接到所述扫描线(150);在所述切换元件栅极(920)上、在偏压线(170)上以及在扫描线(150)上的第一介电层(1010);在所述介电层(1010)上且在所述切换元件栅极(920)之上的切换元件第一端子(1120);在所述介电层(1010)上且在所述切换元件栅极(920)之上的切换元件第二端子(1110),其中基于来自所述扫描线(150)的扫描信号电耦接所述切换元件第一端子(1120)和所述切换元件第二端子(1110);光电转换元件(120),其包括:光电转换元件第一端子(1340),其电耦接至所述偏压线(170);和光电转换元件第二端子(1320),其电耦接至所述切换元件第一端子(1120);信号存储元件(130),其包括:在所述衬底(910)的第一表面上的信号存储元件第一端子(930),其电耦接至所述偏压线(170)且耦接至光电转换元件第一端子(1340);和在所述介电层(1010)上的信号存储元件第二端子(1130),其电耦接至所述切换元件第一端子(1120)与所述光电转换元件第二端子(1320)两者,且其直接在所述光电转换元件第二端子(1320)的至少一部分下并与该至少一部分接触;其中所述偏压线、所述信号存储元件第一端子、所述扫描线和所述切换元件栅极形成于在所述衬底的第一表面上的第一金属层中,且其中所述切换元件第一端子、切换元件第二端子、数据线、及所述信号存储元件第二端子形成于在所述介电层上的第二金属层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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