[发明专利]制备高级卤硅烷和氢化硅烷的方法有效
| 申请号： | 201180060488.1 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103249673B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | S·韦贝尔;M·帕茨;H·施蒂格;C·瓦尔克纳 | 申请（专利权）人： | 赢创德固赛有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/04 | 分类号： | C01B33/04;C01B33/107;B01J31/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 石克虎,林森 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及通过低级卤硅烷歧化反应制备高级卤硅烷的方法。本发明还涉及从通过歧化反应制备的高级卤硅烷制备高级氢化硅烷的方法。本发明另外涉及包含通过所述方法制备的至少一种高级卤硅烷或至少一种高级氢化硅烷的混合物。本发明最后涉及这种包含至少一种高级氢化硅烷的混合物用于制备电子或光电部件层或制备含硅层的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 高级 硅烷 氢化 方法 | ||
【主权项】：
一种制备高级卤硅烷的方法，其中使用至少一种通式SinX2n+2的卤硅烷并通过歧化反应转化为包含至少一种通式SimX2m+2的高级卤硅烷和至少一种通式SiaX2a+2的低级卤硅烷的产物混合物,在通式SinX2n+2中n≥2和X=F、Cl、Br和/或I，在SimX2m+2中m>n和X=F、Cl、Br和/或I，和在SiaX2a+2中a=1‑2和X=F、Cl、Br和/或I，其特征在于所述反应通过至少一种叔膦进行催化，其中所述叔膦选自叔烷基膦、叔芳基膦、叔二齿膦或其混合物。
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