[发明专利]SOI晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201180061352.2 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103299395A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 阿贺浩司;横川功;冈哲史 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L27/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张永康;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种SOI晶片的制造方法，以使结构成为SOI晶片的SOI层的外周端位于较埋入式氧化膜的外周端更外侧的方式，进行去除该埋入式氧化膜的外周部的处理，然后，在包含氢的还原性环境或包含氯化氢气体的环境下，对SOI晶片进行热处理后，在SOI层的表面形成外延层。由此，提供一种方法，所述方法是在不产生溪谷状台阶（段差）的前提下，对利用离子注入剥离法制作而成且在平台部上没有硅氧化膜的SOI晶片，进行外延生长，从而可以制造具有所需SOI层厚度的SOI晶片。 | ||
| 搜索关键词： | soi 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI晶片的制造方法，其特征在于，在由硅单晶所构成的结合晶片的表面上形成硅氧化膜，通过该硅氧化膜，离子注入氢和稀有气体中的至少1种气体离子，以在前述结合晶片的内部形成离子注入层，隔着前述硅氧化膜将该结合晶片的经过离子注入的表面、与由硅单晶所构成的基体晶片的表面贴合后，以前述离子注入层为界来剥离前述结合晶片，由此来制作一种在前述基体晶片的外周的平台部上无氧化膜且将前述硅氧化膜作为埋入式氧化膜的SOI晶片；并且，以使结构成为该SOI晶片的SOI层的外周端位于较前述埋入式氧化膜的外周端更外侧的方式，进行去除该埋入式氧化膜的外周部的处理，然后，在包含氢的还原性环境或包含氯化氢气体的环境下，对前述SOI晶片进行热处理后，在前述SOI层的表面形成外延层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越半导体股份有限公司，未经信越半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180061352.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
