[发明专利]具有高消光系数的纳米晶体以及这种纳米晶体的制备和使用方法有效
| 申请号： | 201180062039.0 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103384595A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | E.维尔奇;J.A.巴特尔;E.塔尔斯基;J.特里维;陈永奋 | 申请（专利权）人： | 生命科技公司 |
| 主分类号： | B32B5/16 | 分类号： | B32B5/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 关立新;梁谋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种明亮而稳定的纳米晶体群。该纳米晶体包括半导体核和厚的半导体壳，并且可以表现出高消光系数、高量子产率以及受限或不可检测的闪烁。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高消光 系数 纳米 晶体 以及 这种 制备 使用方法 | ||
【主权项】：
一种纳米晶体群，其中所述群中的每个纳米晶体包括：半导体核；和设置在半导体核上的半导体壳，其中所述群中的每个纳米晶体的纳米晶体体积与核体积之比(V核+壳/V核)为10∶1或更大。
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