[发明专利]单晶碳化硅液相外延生长用单元和单晶碳化硅的液相外延生长方法有效
| 申请号： | 201180062368.5 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103282557B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 鸟见聪;野上晓;松本强资 | 申请（专利权）人： | 东洋炭素株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/12 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明降低单晶碳化硅的液相外延生长所需要的成本。供料件（11），通过含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。种晶件（12），通过含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的一级衍射峰，观察不到具有与（111）晶面对应的一级衍射峰的衍射强度的10%以上的衍射强度的其他的一级衍射峰。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 生长 单元 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶碳化硅液相外延生长用单元作为在利用亚稳溶剂外延法的单晶碳化硅的液相外延生长方法中使用的种晶件和供料件的单元的应用，所述供料件具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层，通过该表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与(111)晶面对应的衍射峰和所述与(111)晶面对应的衍射峰以外的衍射峰，所述种晶件具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层，通过该表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与(111)晶面对应的一级衍射峰，观察不到具有所述与(111)晶面对应的一级衍射峰的衍射强度的10％以上的衍射强度的其他的一级衍射峰，所述供料件和所述种晶件分别具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层，通过该表层的X射线衍射，观察到与(111)晶面、(200)晶面、(220)晶面和(311)晶面中的至少一个对应的一级衍射峰，由所述供料件的表层的X射线衍射中观察到的、与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的一级衍射峰算出的平均微晶粒径为以下，由所述种晶件的表层的X射线衍射中观察到的、与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的一级衍射峰算出的平均微晶粒径大于
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