[发明专利]单晶碳化硅液相外延生长用种晶件和单晶碳化硅的液相外延生长方法有效
| 申请号： | 201180062380.6 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103270202B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 鸟见聪;野上晓;松本强资 | 申请（专利权）人： | 东洋炭素株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/12 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本，*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供廉价的碳化硅液相外延生长用种晶件。单晶碳化硅液相外延生长用种晶基板12具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的使激发波长为532nm的拉曼分光解析，作为源自结晶多型为3C的多晶碳化硅的衍射峰，观察到T0峰和L0峰以外的峰。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 生长 用种晶件 方法 | ||
【主权项】：
一种种晶件作为单晶碳化硅液相外延生长用种晶件的应用，其特征在于：所述种晶件在利用亚稳溶剂外延生长法的单晶碳化硅的液相外延生长方法中，隔着硅熔融层与供料件对置使用，所述种晶件具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层，通过所述表层的使激发波长为532nm的拉曼分光解析，作为源自结晶多型为3C的多晶碳化硅的衍射峰，观察到T0峰和L0峰以外的峰。
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