[发明专利]通过等离子体渗氮用于生产增强合金的方法

摘要

用于制造包含金属基体的增强合金的方法，其中纳米粒子被分散在金属基体的体积中，至少80%的纳米粒子具有从1nm至50nm的平均尺寸，纳米粒子包含选自属于由Ti、Zr、Hf和Ta所组成的组中的至少一种金属元素M的氮化物的至少一种氮化物。该方法包括以下的连续步骤：a）在200℃至700℃的温度下进行基体合金的等离子体渗氮以便在其中插入填隙（interstitial）氮，基体合金结合了按重量计0.1%至1%的金属元素M，并且基体合金选自奥氏体基合金、铁素体基合金、铁素体-马氏体基合金或镍-基合金；b）在350℃至650℃的温度下在基体合金内扩散填隙氮；以及c）在600℃至900℃的温度下和在10分钟至10小时的持续时间内析出氮化物，以便形成分散在增强合金中的纳米粒子。

主权项

包含金属基体的增强合金的生产方法，其中纳米粒子被分散在所述金属基体的体积中，至少80%的所述纳米粒子具有1nm至50nm的平均尺寸，所述纳米粒子包含选自属于由Ti、Zr、Hf和Ta所组成的组中的至少一种金属元素M的氮化物的至少一种氮化物，所述方法包括以下的连续步骤：a）在200°C至700°C的温度下进行基体合金的等离子体渗氮以便在其中插入填隙氮，所述基体合金结合了按重量计0.1%至1%的所述金属元素M，并且所述基体合金选自奥氏体基合金、铁素体基合金、铁素体‑马氏体基合金或镍‑基合金；b）在350°C至650°C的温度下在所述基体合金中扩散填隙氮；以及c）在600°C至900°C的温度下析出所述氮化物持续10分钟至10小时的期间，以便形成分散在所述增强合金中的所述纳米粒子。