[发明专利]透明导电性薄膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201180062582.0 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103282539A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 梶原大辅;梨木智刚 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/58;G06F3/041;G06F3/045;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供在透明基材上形成有由低电阻的In·Sn复合氧化物（ITO）构成的透明导电层的透明导电性薄膜及其制造方法。本发明的透明导电性薄膜在透明基材上具有由In·Sn复合氧化物构成的透明导电层，透明基材的形成透明导电层侧的表面的算术平均粗糙度Ra为1.0nm以下，透明导电层中的Sn原子的量相对于将In原子和Sn原子相加得到的重量超过6重量%且为15重量%以下，所述透明导电层的霍尔迁移率为10～35cm2/V·s，载流子密度为6×1020～15×1020/cm3。该透明导电性薄膜可通过如下方法来得到，即，在水分压小的气氛下、在基材温度超过100℃且为200℃以下的条件下对非晶质透明导电层进行溅射制膜，并对非晶质透明导电层进行加热而转化为结晶性透明导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种透明导电性薄膜的制造方法，其具有：准备透明基材的基材准备工序、和在所述透明基材上对由In·Sn复合氧化物构成的透明导电层进行溅射制膜的制膜工序，所述透明基材的形成透明导电层侧的面的算术平均粗糙度Ra为1.0nm以下，在所述制膜工序中，使用Sn原子的量相对于将In原子和Sn原子相加得到的重量超过6重量%且为15重量%以下的金属靶或氧化物靶，在水分压相对于氩气分压为0.1%以下的气氛下、在基材温度超过100℃且为200℃以下的条件下进行溅射制膜，由此形成由In·Sn复合氧化物构成的非晶质透明导电层。
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