[发明专利]基底保持器中气体泄漏控制的系统与方法有效
申请号: | 201180062710.1 | 申请日: | 2011-12-19 |
公开(公告)号: | CN103299415A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 提摩太·J·米勒;理查·S·默卡;朱利安·G·布雷克 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种静电钳,包括用于加热基底的加热组件,加热组件具有朝向基底设置的第一表面以及在第一表面对向的第二表面。基座经布置以连结于加热组件的第二表面的至少一部份。经连结的基座以及加热组件共同定义加热组件的第一部分与基座之间的内间隙。外间隙以同心于加热组件的第二部份与基座之间的内间隙的方式布置,藉由形成于加热组件的第二表面以及基座之间的第一封合表面来将内间隙以及外间隙彼此隔离。 | ||
搜索关键词: | 基底 保持 气体 泄漏 控制 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种静电钳,其特征在于,包括:加热组件,用于加热基底,所述加热组件具有朝向所述基底设置的第一表面以及在所述第一表面对向的第二表面;以及基座,经布置以连结所述加热组件的所述第二表面的至少一部份;经连结的所述基座以及所述加热组件共同定义出:内间隙,在所述加热组件的第一部分与所述基座之间;以及外间隙,同心于所述内间隙,且布置于所述加热组件的第二部份与所述基座之间,藉由形成于所述加热组件的所述第二表面以及所述基座之间的第一封合表面来将所述内间隙以及所述外间隙彼此隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造