[发明专利]SiC单晶体的制造装置和SiC单晶体的制造方法

摘要

本发明提供一种易于向SiC晶种附近供给碳的SiC单晶体的制造装置。在将感应加热装置使电磁波向坩埚侧壁浸透的浸透深度设为D1（mm），将感应加热装置使电磁波向SiC溶液浸透的浸透深度设为D2（mm），将坩埚侧壁的厚度设为T（mm），将坩埚的内半径设为R（mm）时，控制装置控制感应加热装置，以使得在感应加热装置中流动的交流电流的频率f满足式（1）。（D1－T）×D2／R＞1（1）在此，D1由式（2）定义，D2由式（3）定义。D1＝503292×（1／（f×σc×μc））1/2（2）D2＝503292×（1／（f×σs×μs））1/2（3）在此，σc是侧壁的导电率（S／m），σs是SiC溶液的导电率（S／m）。μc是侧壁的相对磁导率（无量纲量），μs是SiC溶液的相对磁导率（无量纲量）。

主权项

一种SiC单晶体的制造装置，其中，该制造装置包括：坩埚，其具有筒状的侧壁和配置在上述侧壁的下端的底壁，且该坩埚能够收纳SiC溶液；腔室，其用于收纳上述坩埚；晶种轴，其沿腔室的上下方向延伸，并具有供SiC晶种安装的下端面，该晶种轴将安装于上述下端面的SiC晶种浸渍在上述SiC溶液中；感应加热装置，其配置在上述腔室内，且配置在上述坩埚的侧壁周围；以及控制装置，其用于控制上述感应加热装置；在将上述感应加热装置使电磁波向上述侧壁浸透的浸透深度设为D1（mm），将上述感应加热装置使电磁波向上述SiC溶液浸透的浸透深度设为D2（mm），将上述侧壁的厚度设为T（mm），将上述坩埚的内半径设为R（mm）时，上述控制装置控制上述感应加热装置，以使得在上述感应加热装置中流动的交流电流的频率f（Hz）满足式（1），（D1－T）×D2／R＞1（1）；在此，D1由式（2）定义，D2由式（3）定义，D1＝503292×（1／（f×σc×μc））1/2（2）；D2＝503292×（1／（f×σs×μs））1/2（3）；在此，σc是上述侧壁的导电率（S／m），σs是上述SiC溶液的导电率（S／m）；μc是上述侧壁的相对磁导率（无量纲量），μs是上述SiC溶液的相对磁导率（无量纲量）。