[发明专利]发光元件有效
| 申请号： | 201180063025.0 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103283041A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 石崎顺也 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/30 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张永康;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种发光元件，其是使用化合物半导体基板而制造出来的发光元件，所述化合物半导体基板具有p型包覆层、多重有源层部及n型包覆层，其中多重有源层部是由以(AlxGa1-x)yIn1-yP(0≤x≤0.6，0.4≤y≤0.6)所组成的3层以上的有源层和2层以上的障壁层交互积层而成，且障壁层的Al含有率x高于该有源层，并且，所述障壁层中，相较于靠近n型包覆层侧的障壁层，靠近p型包覆层侧的障壁层的能带隙较小，且化合物半导体基板是在多重有源层部与n型包覆层之间或是在n型包覆层中具有超晶格障壁层的基板。由此，本发明提供了一种长寿命、低电阻，且保持高发光效率(特别是内部量子效率)的发光元件。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种发光元件，其是使用化合物半导体基板而制造出来的发光元件，所述化合物半导体基板至少具有p型包覆层、多重有源层部及n型包覆层，所述多重有源层部是由以(AlxGa1‑x)yIn1‑yP(0≤x≤0.6，0.4≤y≤0.6)所组成的3层以上的有源层和2层以上的障壁层交互积层而成，且所述障壁层的Al含有率x高于该有源层，并且，所述发光元件的特征在于：前述障壁层中，相较于靠近前述n型包覆层侧的障壁层，靠近前述p型包覆层侧的障壁层的能带隙较小，且前述化合物半导体基板是在前述多重有源层部与前述n型包覆层之间或是在前述n型包覆层中具有超晶格障壁层的基板。
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