[发明专利]太阳能电池的制造方法和太阳能电池

摘要

本发明提供一种能够容易地制造光电转换率高的背面接合型太阳能电池的方法。在包含绝缘层（23）的表面上的一个主面的大致整个面上，形成具有与半导体基板（10）相同的第一导电型的第二半导体层（25）。除去第二半导体层（25）的位于绝缘层（23）上的一部分，形成开口部。以第二半导体层（13n）为掩膜，除去从开口部露出的绝缘层（23），使第一半导体区域（12p）的表面的一部分露出。形成与第一半导体区域（12p）的表面和与第二半导体层（13n）的表面电连接的电极（14、15）。

主权项

一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：准备具有第一导电型的半导体基板的工序，该半导体基板具有设置在一个主面的一部分的、具有第二导电型的第一半导体区域，和设置在所述第一半导体区域的表面上的绝缘层；在所述一个主面的大致整个面上，包括在所述绝缘层的表面上，形成具有所述第一导电型的第二半导体层的工序；除去所述第二半导体层的位于所述绝缘层上的一部分，形成开口部的工序；以所述第二半导体层作为掩膜，除去从所述开口部露出的所述绝缘层、使所述第一半导体区域的表面的一部分露出的工序；和形成与所述第一半导体区域的表面和与所述第二半导体层的表面电连接的电极的工序。