[发明专利]用于电解池的金属池元件材料的涂层

摘要

本发明涉及包含金属的池元件组件的电解池的一种阴极半壳体，包括o 焊接到该阴极半壳体(1)的后壁的一个金属支撑结构(2)，和平面平行式安排于其上的至少一个金属弹性元件(4)，o 一个氧气消耗阴极，安排在该至少一个金属弹性元件上，其中所述氧气消耗阴极包括一个穿孔的金属载体(5)和一个机械地压力配合在其上的由PTFE和氧化银制成的催化剂条带(6)，其中所述氧化银在电解工作过程中还原成银，并且此时在该氧气消耗阴极的组件和所述至少一个弹性元件之间生成均一的连接，所述连接以高导电性为特征，其中至少一个金属组件设置有包括至少两个层的导电涂层，其中o 一个第一层，直接施加到池元件材料上，是选自包含Au、B掺杂的镍、Ni的硫化物和它们的混合物的组中，这个第一层的层厚度为0.005至0.2μm，以及o 一个第二层，施加到第一层上且由银制成，这个第二层的层厚度为0.1至30μm。

主权项

包含金属的池元件组件的电解池的阴极半壳体，包括o焊接到该阴极半壳体的后壁的一个金属支撑结构，和平面平行式地安排在其上的至少一个金属弹性元件，o一个氧气消耗阴极，该氧气消耗阴极安排在该至少一个金属弹性元件上，其中所述氧气消耗阴极包括一个穿孔的金属载体和一个机械地压力配合在其上的由PTFE和氧化银制成的催化剂条带，其中所述氧化银在电解工作过程中还原成银，并且此时在氧气消耗阴极的组件与所述至少一个弹性元件之间生成均一的连接，所述连接以高导电性为特征，其中至少一个金属组件设置有包括至少两个层的导电涂层，其中■一个第一层，该第一层直接施加到池元件材料上，是选自包含Au、B掺杂的镍，Ni的硫化物和它们的混合物的组中，其中这个第一层的层厚度为0.005至0.2μm，以及■一个第二层，该第二层施加到第一层上且由银制成，其中这个第二层的层厚度为0.1至30μm。