[发明专利]具有单片集成的量子点器件的半导体芯片载体及其制造方法无效
| 申请号： | 201180064037.5 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN103415925A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | L·皮尔·德罗什蒙 | 申请（专利权）人： | L·皮尔·德罗什蒙 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 贺小明 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种三维多晶半导体材料，其提供了形成具有小于或等于50nm的标称最大晶粒直径的单个晶粒的主要成分以及在单个晶粒之间形成边界的次要成分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 单片 集成 量子 器件 半导体 芯片 载体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种三维多晶半导体材料，其特征在于，包含：形成具有小于或等于50nm的标称最大晶粒直径的单个晶粒的主要成分；以及在单个晶粒之间形成边界的次要成分。
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