[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201180064485.5 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103329267A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 铃木健司 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/36;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，能够防止焊锡收缩部或焊锡空隙这样的焊锡缺陷的产生。半导体器件中，在冷却用基底（1）通过焊锡（6）固定有带导电图案的绝缘基板（12），其中，带导电图案的绝缘基板（12）下的焊锡（6）被冷却而固化时，有意地对冷却用基底（1）施加温度梯度，并在各带导电图案的绝缘基板（12）下的熔融焊锡（6b）的固化最慢的部位设置焊锡积存部（8），由此，能够防止焊锡收缩部或焊锡空隙等焊锡缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其至少具备冷却用基底和通过焊锡固定在该冷却用基底上的多个带导电图案的绝缘基板，该半导体器件的特征在于：以与距所述冷却用基底的中心点的距离最短的各带导电图案的绝缘基板端正下方的所述冷却用基底的位置相接的方式，在该冷却用基底上分别设置有焊锡积存部。
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