[发明专利]具有掺杂浓度梯度的发射性陶瓷材料及其制造方法和使用方法有效
| 申请号： | 201180064498.2 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103347982A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 潘光;宮川浩明;藤井宏中;张彬;拉贾什·穆克尔吉;中村年孝;望月周 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/80 | 分类号： | C09K11/80;C04B35/44 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;安佳宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本文公开了发射性陶瓷材料，该发射性陶瓷材料具有沿着钇铝石榴石(YAG)区域的厚度的掺杂浓度梯度。掺杂浓度梯度可包括最大掺杂浓度、半最大掺杂浓度以及在半最大掺杂浓度处或附近的斜率。在一些实施方案中，发射性陶瓷可表现出高内量子效率(IQE)。在一些实施方案中，发射性陶瓷可包括多孔区域。本文还公开了通过烧结具有掺杂层和非掺杂层的组件来制造发射性陶瓷的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 浓度梯度 发射 陶瓷材料 及其 制造 方法 使用方法 | ||
【主权项】：
发射性陶瓷，其包括钇铝石榴石(YAG)区域以及掺杂剂，所述掺杂剂具有沿着所述YAG区域的厚度在第一表面与第二表面之间的浓度梯度，其中所述浓度梯度包括最大掺杂浓度、第一半最大掺杂浓度以及在所述第一半最大掺杂浓度处或附近的第一斜率，其中所述第一斜率的绝对值为约0.001至约0.004(原子%/μm)。
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