[发明专利]包括远程掺杂剂源的离子注入器系统以及包含该系统的方法有效
申请号: | 201180065637.3 | 申请日: | 2011-11-26 |
公开(公告)号: | CN103329252A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | W·K·奥兰德;R·凯姆;J·D·斯威尼;J·R·德普雷斯 | 申请(专利权)人: | 先进技术材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01J37/30 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 杨勇;郑建晖 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明描述了掺杂剂源气体供应布置和方法,其中一个或多个掺杂剂源气体供应容器被包含在离子注入系统的外封罩之内,例如在上述封罩内的一个气体箱之内。在一个实施方式中,掺杂剂源气体供应容器相对于离子注入系统的气体箱以远程关系定位,以及一个掺杂剂源气体本地容器被定位在所述气体箱之内,以及供应线以供应关系将掺杂剂源气体供应容器互连到掺杂剂源气体本地容器,其中所述供应线被适配为仅当离子注入系统处于非运行状态时才使掺杂剂源气体从供应容器流动到本地容器,且所述供应线被适配为当离子注入系统处于运行状态时被抽空或是填充以惰性加压气体。 | ||
搜索关键词: | 包括 远程 掺杂 离子 注入 系统 以及 包含 方法 | ||
【主权项】:
掺杂剂源气体供应装置,用于将掺杂剂源气体从相对于地处于升高的运行电压的气体箱输送到离子注入工具,其中所述气体箱和所述离子注入工具在一个外封罩之内,并且所述掺杂剂源气体供应装置被安排成选自下列装置布置(A)和(B)的一个布置:(A)装置布置,包括:掺杂剂源气体供应容器,被适配为相对于离子注入系统的所述气体箱以远程关系定位,在所述外封罩之外;掺杂剂源气体本地容器,被适配为定位在所述气体箱之内;以及供应线,以供应关系将所述掺杂剂源气体供应容器互连到所述掺杂剂源气体本地容器,且被适配为仅当所述离子注入工具处于非运行状态且所述气体箱不处在所述升高的运行电压时才使掺杂剂源气体从所述供应容器流动到所述本地容器;以及(B)装置布置,包括:掺杂剂源气体容器,被适配为定位在所述外封罩之内,在所述气体箱之外;流动线路,被配置为布置在所述气体箱之内,其中所述气体箱在其内没有掺杂剂源气体容器;以及电绝缘的掺杂剂源气体供应线,被配置为从所述掺杂剂源气体容器接收掺杂剂源气体,且当所述气体箱处在所述升高的运行电压时将掺杂剂源气体输送到所述气体箱之内的所述流动线路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造