[发明专利]光电元件及其制造方法在审
申请号: | 201180065837.9 | 申请日: | 2011-02-18 |
公开(公告)号: | CN103339747A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 杨鸿志;谢明勋;许明祺 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/16 | 分类号: | H01L33/16;H01L33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 吕晓章 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种光电元件及其制造方法。光电元件包含:一个基板(101);以及一个过渡迭层(102),位于基板(101)之上。过渡迭层(102)包含至少一个具有第一孔洞结构(p1)的第一过渡层(1021),位于基板(101)之上;以及一个具有第二孔洞结构(p2)第二过渡层(1022),位于第一过渡层(1021)之上。第一孔洞结构(p1)的宽度或密度与第二孔洞结构(p2)的宽度或密度不同。 | ||
搜索关键词: | 光电 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
PCT国内申请,权利要求书已公开。
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