[发明专利]用于制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器有效
申请号: | 201180066333.9 | 申请日: | 2011-12-14 |
公开(公告)号: | CN103339707A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | J·R·布莱顿;A·L·卡伦;S·D·威廉斯;J·M·多德森;J·J·威尔曼;C·J·H·沃特 | 申请(专利权)人: | 号元素有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;C23C16/511 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 卓霖 |
地址: | 英国马恩*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 用于通过化学气相沉积制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器,所述微波等离子体反应器包括:微波发生器,所述微波发生器配置为产生频率为f的微波;等离子体腔,所述等离子体腔包括基部、顶板、和从所述基部延伸到所述顶板的侧壁,从而限定用于支持微波谐振模式的谐振腔,其中,所述谐振腔具有从所述基部延伸到所述顶板的中央对称旋转轴,并且其中,所述顶板横过所述中央对称旋转轴安装;微波耦合结构,所述微波耦合结构用于将微波从所述微波发生器进给到所述等离子体腔内;气体流动系统,所述气体流动系统用于将工艺气体进给到所述等离子体腔内和将所述工艺气体从所述等离子体腔中移除;以及基底保持器,所述基底保持器设置在所述等离子体腔中并且包括用于支承基底的支承表面,在使用时所述合成金刚石材料沉积在所述支承表面上;其中,所述谐振腔配置为具有从所述等离子体腔的所述基部到所述顶板测量的高度,所述高度支持在所述频率f下在所述基部与所述顶板之间的TM011谐振模式;以及其中,所述谐振腔还配置为具有在比从所述基部测量的所述谐振腔的所述高度的50%小的高度处测量的直径,所述直径满足所述谐振腔高度/所述谐振腔直径的比率范围为从0.3至1.0的条件。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 合成 金刚石 材料 微波 等离子体 反应器 | ||
【主权项】:
用于通过化学气相沉积制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器,所述微波等离子体反应器包括:微波发生器,所述微波发生器配置为产生频率为f的微波;等离子体腔,所述等离子体腔包括基部、顶板、和从所述基部延伸到所述顶板的侧壁,从而限定用于支持微波谐振模式的谐振腔,其中,所述谐振腔具有从所述基部延伸到所述顶板的中央对称旋转轴,并且其中,所述顶板横过所述中央对称旋转轴安装;微波耦合结构,所述微波耦合结构用于将微波从所述微波发生器进给到所述等离子体腔内;气体流动系统,所述气体流动系统用于将工艺气体进给到所述等离子体腔内和将所述工艺气体从所述等离子体腔中移除;以及基底保持器,所述基底保持器设置在所述等离子体腔中并且包括用于支承基底的支承表面,在使用时所述合成金刚石材料沉积在所述支承表面上;其中,所述谐振腔配置为具有从所述等离子体腔的所述基部到所述顶板测量的高度,所述高度支持在所述频率f下在所述基部与所述顶板之间的TM011谐振模式;以及其中,所述谐振腔还配置为具有在比从所述基部测量的所述谐振腔的所述高度的50%小的高度处测量的直径,所述直径满足所述谐振腔高度/所述谐振腔直径的比率范围为从0.3至1.0的条件。
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