[发明专利]具有提高的灵敏度的纳米线场效应晶体管生物传感器有效
申请号: | 201180066619.7 | 申请日: | 2011-12-02 |
公开(公告)号: | CN103348238A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | C·O·徐;K-S·沈 | 申请(专利权)人: | 加利福尼亚大学董事会 |
主分类号: | G01N27/414 | 分类号: | G01N27/414;G01N33/483;C12Q1/68 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 左路;林晓红 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及用于测量的多线纳米线场效应晶体管(nwFET)装置。该装置包含具有第一端和第二端的传感纳米线和具有第一端和第二端的纳米线FET,其中传感纳米线的第一端与纳米线FET连接以形成节点。此外,纳米线FET的第一端与源极连接,纳米线FET的第二端与漏极连接,且传感纳米线的第二端与基极连接。该传感纳米线衍生有多个对感兴趣的靶特异的固定化的捕获探针。该装置用于检测生物分子或检测样品中的离子环境的变化。在进一步的实施方式中,传感纳米线衍生有氨基、羧基或羟基。当离子环境变化,或分子与传感纳米线结合,传感纳米线电流(IB)波动。波动被放大并读出为纳米线FET漏极电流(ID)。因此,本发明提供生物分子的无标记检测并可寻求作为床边检测的诊断装置。 | ||
搜索关键词: | 具有 提高 灵敏度 纳米 场效应 晶体管 生物 传感器 | ||
【主权项】:
多线纳米线场效应晶体管(nwFET)装置,其包含具有第一端和第二端的传感纳米线和具有第一端和第二端的纳米线FET,其中所述传感纳米线和所述纳米线FET各自包含至少一种半导体材料,所述传感纳米线的第一端与所述纳米线FET连接以形成节点,所述纳米线FET的第一端与源极连接,所述纳米线FET的第二端与漏极连接,且所述传感纳米线的第二端与基极连接。
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