[发明专利]自由基蒸汽化学气相沉积

摘要

描述形成氧化硅层的方法。这些方法包括同时地结合等离子体激发的（自由基）蒸汽与未激发的硅前驱物。可经由等离子体激发路线（例如，藉由将氨添加到蒸汽）和/或藉由选择含氮的未激发的硅前驱物来供应氮。这些方法导致含硅-氧-与-氮的层沉积在基板上。含硅-氧-与-氮的层的氧含量接着被增加，以形成可几乎不含有或不含有氮的氧化硅层。可藉由在含氧气氛的存在下将层予以退火而造成氧含量的增加，并且可藉由在惰性环境中将温度提升到甚至更高来进一步增加膜的密度。

主权项

一种在基板处理腔室内在无等离子体的基板处理区域中将氧化硅层形成在基板上的方法，所述方法包含：使含氧前驱物流动到等离子体区域内，以产生自由基‑氧前驱物，其中所述含氧前驱物包含H2O；在所述无等离子体的基板处理区域中结合所述自由基‑氧前驱物与含硅前驱物，其中所述含硅前驱物含有氮；以及将含硅‑氧‑与‑氮的层沉积在所述基板上。