[发明专利]控制填料-聚合物组合物中的电阻率的方法以及与其相关的产品有效
| 申请号： | 201180067419.3 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103370377B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | A.科切夫;J.K.赫夫曼;A.基尔利迪斯;P.A.科西雷夫;E.N.斯特普 | 申请（专利权）人： | 卡博特公司 |
| 主分类号： | C08L101/12 | 分类号： | C08L101/12;C08K3/04;C08K3/36;C08L83/04;C09J183/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了使用双相填料控制填料‑聚合物组合物中的电阻率的方法。进一步描述了包含所述双相填料的聚合物组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 填料 聚合物 组合 中的 电阻率 方法 以及 与其 相关 产品 | ||
【主权项】：
1.控制填料‑聚合物组合物中的电阻率的方法，包括：使至少一种聚合物与至少一种填料组合，所述填料包括：b)具有二氧化硅相和碳相的双相填料，其中所述二氧化硅相由受控表面覆盖量的二氧化硅相组成并且所述二氧化硅相作为双相填料的固有部分分布，其中该二氧化硅相的所述受控表面覆盖量为暴露表面积的5％至暴露表面积的90％，且其中较高的受控表面覆盖量提供在所述填料‑聚合物组合物中较高的电阻率，或者b)和c)的组合，其中，c)具有二氧化硅相和碳相的双相填料，其中所述双相填料具有受控形态，其中所述受控形态为碘值或OAN，且其中较高的碘值或OAN有助于较低的体积电阻率。
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