[发明专利]气相生长装置及气相生长方法

摘要

本发明涉及一种气相生长装置及气相生长方法。所述气相生长装置具备：气相生长室、加热室、混合室、对三氯硅烷气体进行贮藏的第一贮藏库、对与氯化氢气体发生反应的硅烷类气体进行贮藏的第二贮藏库。加热室连通于第一贮藏库和混合室，并且在将三氯硅烷气体加热之后，向混合室进行供给。混合室连通于第二贮藏库和气相生长室，并使从加热室供给的气体与硅烷类气体混合，且将该混合气体向气相生长室进行供给。加热室的室内温度高于混合室的室内温度。

主权项

一种气相生长装置，其使硅膜在基板的表面上进行生长，所述气相生长装置具备：气相生长室、加热室、混合室、对三氯硅烷气体进行贮藏的第一贮藏库、对与氯化氢气体发生反应的硅烷类气体进行贮藏的第二贮藏库，所述加热室连通于所述第一贮藏库和所述混合室，并且在将从所述第一贮藏库供给的所述三氯硅烷气体加热之后，向所述混合室进行供给，所述混合室连通于所述第二贮藏库和所述气相生长室，并使从所述加热室供给的气体与所述硅烷类气体混合，且将该混合气体向所述气相生长室进行供给，所述加热室的室内温度高于所述混合室的室内温度。