[发明专利]多级喷淋头设计有效
申请号: | 201180069329.8 | 申请日: | 2011-10-28 |
公开(公告)号: | CN103443903A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 唐纳德·J·K·奥尔加多 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/455 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的实施方式大体上提供一种由紧固在一起的多个板所制成的喷淋头组件。所述喷淋头组件包括气体歧管,所述气体歧管由顶板与中间板界定,且所述喷淋头组件还包括分流板,所述分流板由中间板与热交换底板界定。第一处理气体进入气体歧管,并且由分流板分流通过底板。第二气体进入气体歧管,并且由分流板分流通过底板,如此使得第一气体与第二气体不会在离开喷淋头之前混合。一个实施方式中,可以于不同的流量和/或压力下分配第一处理气体通过喷淋头的中央区域与外侧区域。此外,可以于不同的流量和/或压力下分配第二处理气体通过喷淋头的中央区域与外侧区域。 | ||
搜索关键词: | 多级 喷淋 设计 | ||
【主权项】:
一种喷淋头组件,所述喷淋头组件包含:第一板;第二板,耦接所述第一板以形成气体歧管;第三板,耦接所述第二板并且具有一或多个温度控制通道,所述一或多个温度控制通道配置在所述第三板中,其中所述第三板具有多个第一气体通路以及多个第二气体通路,所述气体通路被形成为穿过所述第三板;以及第四板,配置在所述第二板与所述第三板之间,其中所述第四板具有多个通道,所述通道形成于所述第四板中并且流体连通式耦接所述第三板中的所述多个第二气体通路,且其中所述第四板具有多个气体通路,所述气体通路形成为穿过所述第四板并且将所述气体歧管流体连通式耦接所述第三板中的所述多个第一气体通路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造