[发明专利]SiC单晶的制造方法和制造装置有效
| 申请号： | 201180069491.X | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103562443A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 大黑宽典;龟井一人 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;新日铁住金株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/12 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种SiC单晶的制造方法，一边在石墨坩埚内的Si熔液内维持从内部到熔液面温度降低的温度梯度、一边以接触该熔液面的SiC籽晶为起点使SiC单晶生长，其中，在使成为SiC单晶的生长起点的SiC籽晶的结晶生长面接触上述熔液面时，将熔液向SiC籽晶的侧面的润升高度设定为从结晶生长面生长了的SiC单晶和从侧面生长了的SiC单晶作为一体的SiC单晶而生长的范围内。一种SiC单晶的制造装置，具有：石墨坩埚；用于将上述坩埚内的原料加热熔化从而形成上述原料熔液并且维持SiC单晶的生长所需的温度梯度的加热单元；在下端保持籽晶的支持棒；和保持机构，其维持上述保持以使得熔液向SiC籽晶的侧面的润升高度处于从结晶生长面生长了的SiC单晶和从侧面生长了的SiC单晶作为一体的SiC单晶而生长的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种SiC单晶的制造方法，使用坩埚内的Si‑C熔液，以接触到该熔液面的SiC籽晶为起点使SiC单晶生长，该制造方法的特征在于，在使成为SiC单晶的生长起点的SiC籽晶的结晶生长面接触所述熔液面时，将熔液向SiC籽晶的侧面的润升高度设定为从结晶生长面生长了的SiC单晶和从侧面生长了的SiC单晶作为一体的SiC单晶而生长的范围内。
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