[发明专利]晶片的永久粘合方法有效
| 申请号： | 201180069894.4 | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103460342A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | T.普拉赫;K.欣格尔;M.温普林格;C.弗勒特根 | 申请（专利权）人： | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 石克虎;林森 |
| 地址： | 奥地利圣*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及第一衬底(1)的第一接触面(3)与第二衬底(2)的第二接触面(4)的粘合方法，其具有下列步骤，尤其是下列序列：在第一衬底(1)和/或第二衬底(2)上的至少一个储库形成层(6,6’)中形成至少一个储库(5,5’)，其中所述储库(5,5’)至少主要由非晶材料构成，用第一原料物或第一组原料物至少部分填充储库(5,5’)，在储库(5)和/或储库(5’)上形成或施加含有第二原料物或第二组原料物的反应层(17)，使第一接触面(3)与第二接触面(4)接触以形成预-粘合-连接，在第一和第二接触面(3,4)之间形成永久粘合，其通过第一原料物或第一组原料物与第二原料物或第二组原料物的反应至少部分增强。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 永久 粘合 方法 | ||
【主权项】：
第一衬底(1)的第一接触面(3)与第二衬底(2)的第二接触面(4)的粘合方法，所述方法具有下列步骤，尤其是下列过程：‑ 在第一衬底(1)和/或第二衬底(2)上的至少一个储库形成层(6, 6’)中形成至少一个储库(5, 5’)，其中所述储库(5, 5’)尤其至少主要由非晶材料构成，‑ 用第一原料物或第一组原料物至少部分填充储库(5, 5’)，‑ 在储库(5)和/或储库(5’)上形成或施加含有第二原料物或第二组原料物的反应层(17)，‑ 使第一接触面(3)与第二接触面(4)接触以形成预‑粘合‑连接，‑ 在第一和第二接触面(3, 4)之间形成永久粘合，其通过第一原料物或第一组原料物与第二原料物或第二组原料物的反应至少部分增强。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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